悬浮氮化硅薄膜上的超导谐振器

2024-05-07 11:20　167 浏览

非平衡准粒子引起的关联误差是容错量子计算实现的障碍之一，准粒子可能是由于衬底中的声子引起的。隔离衬底与超导器件是解决准离子的可能有效手段。

近日，Irfan Siddiqi组在薄SiN膜（～110 nm）上制备并表征了悬浮CPW谐振器，证明了高品质因数超导电路制备工艺与这种工艺的兼容性。这项工作与之前的不同之处在于，将整个CPW悬浮到极长宽比膜上，并探测其内禀品质因数Qi和其他特性，谐振器在低功率下Qi～105，Qi值与同一衬底上的谐振器的Qi基本相同，但是明显低于最好的CPW谐振器。他们还研究了谐振器热化速率，表明谐振器热化主要由SiN和Nb薄层而不是由衬底传导。